![]() 四(二甲胺基)鉿结构式
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常用名 | 四(二甲胺基)鉿 | 英文名 | Tetrakis(dimethylamido)hafnium |
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CAS号 | 19782-68-4 | 分子量 | 354.79300 | |
密度 | 1.098 g/mL at 25 °C | 沸点 | 6.1ºC at 760 mmHg | |
分子式 | C8H24HfN4 | 熔点 | 26-29ºC(lit.) | |
MSDS | 中文版 美版 | 闪点 | 109 °F | |
符号 |
![]() ![]() GHS02, GHS05 |
信号词 | Danger |
Appl. Phys. Lett. 91 , 193503, (2007)
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Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films Hausmann DM, Gordon RG
J. Cryst. Growth 249 , 251-261, (2003)
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The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition Monsma D, Becker J
Material Matters 1(3) , 5, (2006)
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High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication Rushworth S
Material Matters 5(4)
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