硒化铟
硒化铟结构式
|
常用名 | 硒化铟 | 英文名 | indium selenide |
|---|---|---|---|---|
| CAS号 | 12056-07-4 | 分子量 | 466.516 | |
| 密度 | 5.67 g/mL at 25 °C(lit.) | 沸点 | N/A | |
| 分子式 | In2Se3 | 熔点 | 890°C | |
| MSDS | 中文版 美版 | 闪点 | N/A | |
| 符号 |
GHS06, GHS08, GHS09 |
信号词 | Danger |
|
Some electrical and optical properties of In2Se3 Bidjin DS, et al.
Physica Status Solidi A Appl. Res. 6(1) , 295-299, (1971)
|
|
|
Growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors. Chang KJ, et al.
Appl. Phys. Lett. 89(18) , 2118, (2006)
|
期刊文献综述：
更多...