三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)镧(III)
三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)镧(III)结构式
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常用名 | 三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)镧(III) | 英文名 | Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)lead(ii) |
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| CAS号 | 14319-13-2 | 分子量 | 691.73100 | |
| 密度 | N/A | 沸点 | 370ºC (subl. 210ºC/0.2mm) | |
| 分子式 | C33H60LaO6 | 熔点 | 227-231ºC | |
| MSDS | 美版 | 闪点 | 370ºC |
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Study on the precursors for La2O3 thin films deposited on silicon substrate. Jun J, et al.
J. Mater. Sci. Lett. 21(23) , 1847-1849, (2002)
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MOCVD of lanthanum oxides from La (tmhd)3 and La (tmod)3 precursors: A thermal and kinetic investigation. Bedoya C, et al.
Chem. Vap. Deposition 12(1) , 46-53, (2006)
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Structural and electrical properties of a La2O3 thin film as a gate dielectric. Jun JH, et al.
J. Korean Phys. Soc. 11(6) , (2002)
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期刊文献综述：
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