非晶硅薄膜

• 常用名: 非晶硅薄膜
• 英文名: trisilirane
• CAS号: 12597-37-4
• 分子量: 90.304
• 密度: N/A
• 沸点: N/A
• 分子式: H₆Si₃
• 熔点: N/A
• 闪点: N/A

非晶硅薄膜用途

用于制造α-Si太阳电池、光接仪器、光导摄像管、空间光调制器、光传感器、场效应器件。

非晶硅薄膜名称

• 中文名: 非晶硅薄膜
• 英文名: Amorphous silicon film

非晶硅薄膜物理化学性质

• 分子式: H₆Si₃
• 分子量: 90.304
• 精确质量: 89.977730
• 储存条件:

  产品应贮存放在阴凉、通风、干燥、清洁、无化学药品腐蚀气氛的库房内，在运输和贮存过程中要防止机械损伤、受潮和化学腐蚀性物品腐蚀。

• 稳定性:

  非晶硅是元素硅的非晶态半导体。它的吸收系数比单晶硅大一个数量级，其吸收光谱更接近太阳光谱，有良好的光电导特性。制备非晶硅时消耗原材料少，主要原料硅烷（SiH4）成本低。可用玻璃、金属、聚合物和陶瓷等不同材料作衬底，衬底还可是弯曲的或柔性的。工艺简单，易于沉积大面积薄膜。它能与硅集成技术兼容，易于实现集成化。因为优质的非晶硅中常含有较多的氢，又称为非晶硅氢合金或氢化非晶硅

非晶硅薄膜制备

1.非晶硅太阳电池的制备方法很多，最常见的是辉光放电法［即等离子体增强化学气相沉积法（PECVD法），因为PECVD法中等离子状态大多属于低压辉光放电，故又称为辉光放电法（GD法）］，此外还有反应溅射法（SP法）、低压化学气相沉积法（LPCVD法）、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。利用辉光放电制取非晶硅薄膜的尝试早在1969年奇蒂克等人就已实现，但对此种半导体硅材料进行掺杂，则是在1975年以后才突破的。美国于1976年采用此种方法制成非晶硅太阳电池。PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。其简单过程是：将一个石英容器抽成真空，充入氢气或氮气稀释的硅烷。射频电源用电容或电感耦合方式加在反应器外侧的电极上，使硅烷电离，产生化学上非常活泼的激发态分子、离子，促进化学反应，非晶硅膜就沉积在温度为200～300℃的衬底表面上形成薄膜。若硅烷中混入适当比例的PH5或B2H6，即可得到N型或P型的非晶硅膜。作为衬底材料，可用不锈钢或玻璃等。这种制备非晶硅膜的工艺，在很大程度上取决于气压、衬底温度、气体流速和射频功率等许多方面，控制条件十分严格。

非晶硅薄膜英文别名

• Cyclotrisilane
• Trisilirane