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7782-40-3生产厂家

7782-40-3价格

7782-40-3

7782-40-3结构式
7782-40-3结构式
  • 常用中文名:单晶金刚石微粉
  • 常用英文名:Nanodiamond
  • CAS号:7782-40-3
  • 分子式:CH4
  • 分子量:16.04250
  • 发布时间:2016-05-16 02:39:45
  • 更新时间:2024-01-02 13:20:39
  • 用于金属、塑料、玻璃等材料表面生成金刚石膜。如半导体及半导体器件热沉电阻、电绝缘层。


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中文名 单晶金刚石微粉
英文名 diamond
英文别名 EINECS 231-953-2
Diamond
MFCD00211867
分子式 CH4
分子量 16.04250
精确质量 16.03130
LogP 0.63610
储存条件

 产品应贮存放在阴凉、通风、干燥、清洁、无化学药品腐蚀气氛的库房内。

稳定性

金刚石晶体膜是一种人工合成的新型功能材料,它由金刚石微晶体构成,具有高硬度、低摩擦、高热导率(为铜的5倍)、低膨胀系数、良好抗热冲击性能、良好抗腐蚀性、极高电绝缘强度、宽波段高透过率和高电子折射率等多项复合性能。

本品无毒。

计算化学

1、 疏水参数计算参考值(XlogP):-1.1

2、 氢键供体数量:0

3、 氢键受体数量:2

4、 可旋转化学键数量:0

5、 互变异构体数量:

6、 拓扑分子极性表面积(TPSA):34.1

7、 重原子数量:2

8、 表面电荷:0

9、 复杂度:0

10、 同位素原子数量:0

11、 确定原子立构中心数量:0

12、 不确定原子立构中心数量:0

13、 确定化学键立构中心数量:0

14、 不确定化学键立构中心数量:0

15、 共价键单元数量:1

更多

1. 性状:粉末

2. 密度(g/mLat 25°C):3.5

3. 相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定

4. 熔点(ºC):未确定

5. 沸点(ºC,常压):未确定

6. 沸点(ºC,0.1mmHg):未确定

7. 折射率(n20/D):未确定

8. 闪点(ºC):未确定

9. 比旋光度(º):未确定

10. 自燃点或引燃温度(ºC):未确定

11. 蒸气压(mmHg,20ºC):未确定

12. 饱和蒸气压(kPa,-164ºC):未确定

13. 燃烧热(KJ/mol):未确定

14. 临界温度(ºC):未确定

15. 临界压力(MPa):未确定

16. 油水(辛醇/水)分配系数的对数值:未确定

17. 爆炸上限(%,V/V):未确定

18. 爆炸下限(%,V/V):未确定

19. 溶解性:未确定

个人防护装备 Eyeshields;Gloves;type N95 (US);type P1 (EN143) respirator filter
危险品运输编码 NONH for all modes of transport

制备金刚石薄膜常用的方法是气相沉积法,该方法可分以下3种类型。

(1)热化学气相沉积(TCVD)法 在高温下使含碳气相组分发生热分解即形成金刚石薄膜。这一方法在早期的制备过程中是比较成功的方法,目前采用很多的热丝法(EFCVD)以及对于沉积速率有着独特优越性的热化学焰法均属于此类。
(2)物理化学气相沉积法 用物理化学方法促进CVD过程,例如等离子增强CVD(PECVD或PACVD)、微波等离子体CVD(MWCVD)、射频等离子体CVD(RFPECVD)和直流等离子体CVD(DCPECVD)及电子增强CVD(EACVD)等。
(3)物理气相沉积法 即用物理方法(蒸发、溅射、离子束等)直接从碳源获取碳原子或碳离子,将含碳气体转变为气态活性碳原子,定向沉积在物体表面并沉积生成一层致密、均匀、光滑的碳碳原子键结构的固态晶体膜。这类工艺的关键技术是利用高能离子在基材表面的微区内形成75000℃和压强12×109Pa的热尖峰,其持续时间为10-21s,从而促进金刚石膜的形成。沉积工艺需在高能态、高真空条件下,严格控制电磁场能量,精确掌握含碳化合物的原材料配比和浓度,以及反应沉积速率。