IZO结构式
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常用名 | IZO | 英文名 | IZO |
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CAS号 | 117944-65-7 | 分子量 | 359.043 | |
密度 | N/A | 沸点 | N/A | |
分子式 | In2O4Zn | 熔点 | N/A | |
MSDS | 美版 | 闪点 | N/A | |
符号 |
GHS07, GHS09 |
信号词 | Warning |
英文名 | IZO |
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英文别名 | 更多 |
分子式 | In2O4Zn |
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分子量 | 359.043 |
精确质量 | 357.716553 |
符号 |
GHS07, GHS09 |
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信号词 | Warning |
危害声明 | H315-H319-H335-H410 |
警示性声明 | P261-P273-P305 + P351 + P338-P501 |
危害码 (欧洲) | Xi,N |
风险声明 (欧洲) | 36/37/38-50/53 |
安全声明 (欧洲) | 26-61 |
危险品运输编码 | UN 3077 9 / PGIII |
Fabrication of fully transparent nanowire transistors for transparent and flexible electronics.
Nat. Nanotechnol. 2 , 378, (2007) The development of optically transparent and mechanically flexible electronic circuitry is an essential step in the effort to develop next-generation display technologies, including 'see-through' and ... |
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Cui, J.; Wang, A.; Edleman, N. L.; Ni, J.; Lee, P.; Armstrong, N. R.; Marks, T. J.
Adv. Mater. 13 , 1476, (2001)
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Ito, N.; Sato, Y.; Song, P. K.; Kaijio, A.; Inoue, K.; Shigesato, Y.
Thin Solid Films 496 , 99, (2005)
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INDIUM ZINC OXIDE |